高k介质在新型半导体器件中的应用

• 作者: 王玫 肖志松 郑晓虎 黄力 黄安平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高k材料 FinFET 石墨烯器件 忆阻器
• 年，卷（期）: 2012,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 473-480
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玫	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	19	88	5.0	9.0
2	肖志松	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	17	119	6.0	10.0
3	黄安平	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	23	121	6.0	10.0
4	郑晓虎	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	5	54	4.0	5.0
5	黄力	北京航空航天大学电子信息工程学院	1	14	1.0	1.0