基体温度对磁控溅射TiN薄膜电化学性能的影响

• 作者: 张金林 才庆魁 杜兆富 王建明 贺春林 赵栋梁
• 来源期刊: 金属功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 反应磁控溅射 TiN 基体温度 微结构 电化学性能
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 15-20
• 分类号: TB79
• 字数: 2642字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射方法在AISI304不锈钢和Si(100)表面沉积了TiN薄膜,利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和电化学技术研究了基体温度对TiN薄膜结构与电化学性能的影响.结果表明:TiN薄膜为柱状结构,表面平整、致密,但基体温度高于300℃时膜表面存在微裂纹.薄膜为面心立方结构δ-TiN并存在择优取向,室温和150℃时的薄膜择优取向为(111)晶面,300℃和450℃时为(200)晶面;基体为室温时薄膜厚度为0.63 μm,温度提高到150℃后膜厚增加到1μm左右,但继续升温对膜厚影响并不明显.薄膜在NaCl溶液中的腐蚀为点蚀,基体温度为150℃时的TiN薄膜具有最高的开路电位和点蚀电位以及最低的腐蚀速率,因此具有最佳的耐蚀性.