CdZnTe薄膜的CdCl_2退火及性能表征

• 作者: 介万奇 仝俊利 查钢强 高俊宁
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 近空间升华 CdZnTe 薄膜 CdCl2退火 Ⅱ-Ⅵ族半导体
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1197-1199,1203
• 页数: 4页
• 分类号: TB32
• 字数: 2044字
• 语种: 中文

摘要

采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒尺寸明显增大,晶粒分布更加均匀;XRD分析结果显示,退火后薄膜的最强峰（111）峰的半峰宽变窄,薄膜沿（111）方向的择优取向明显增强;退火后薄膜的光学透过率降低,截止边红移,光学禁带宽度减小;薄膜的电阻率在退火后下降了两个数量级。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	高俊宁	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	13	59	4.0	7.0
3	查钢强	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	38	93	5.0	7.0
4	仝俊利	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	3	1.0	1.0