NiFe/IrMn多层膜制备及MgO掺杂研究

• 作者: 于广华 刘洋 李明华 游顺青 董跃刚 陈喜
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: MgO 掺杂 交换偏置场
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1503-1505
• 页数: 3页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2494字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜,研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO,发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加,多层膜的交换偏置场逐渐增大,当MgO的含量约为2.5%交换偏置场达到最大值。随着MgO含量进一步增加交换偏置场下降。在IrMn中插入适量的MgO可以有效地增加交换偏置场。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洋	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	102	727	15.0	24.0
2	于广华	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	88	372	9.0	14.0
3	李明华	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	21	50	4.0	5.0
4	游顺青	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	1	1	1.0	1.0
5	陈喜	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	1	1	1.0	1.0
6	董跃刚	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	1	1	1.0	1.0