横线Mura的分析与改善

• 作者: 周哲
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 横线Mura 薄膜 应力 栅电极
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器制备技术
• 页码范围: 649-652
• 页数: 4页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 1577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20122705.0649

摘要

横线Mura是一种在TFT-LCD生产过程中产生的不良,对于画面品质有较大的影响.文中对横线Mura发生的原因进行分析,通过对金属膜层的应力测量及分析不良区域金属断面结构,认为横线Mura的发生是由于在栅电极成膜过程中,玻璃基板中心和边缘的Mo金属层的应力差异较大,造成在应力释放后Mo金属层与玻璃基板之间结合不紧密,从而影响到栅电极与源电极间的寄生电容参数发生变化和信号电平发生偏移.提出对栅电极膜层结构进行调整,将栅电极底层Mo金属膜去除可以有效地降低不良的发生比率,并进行了相关验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周哲	清华大学电子工程系	2	12	1.0	2.0