烧结温度对厚膜电阻的影响研究

• 作者: 张显 朱耀寰 王海丰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 厚膜电阻 烧结 阻值 TCR 液相烧结
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 394-398
• 分类号: TN542
• 字数: 4042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.04.007

摘要

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻信及电阻温度系数(TCR)的影响.利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响.实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好；烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络；而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显	西安电子科技大学技术物理学院	12	79	4.0	8.0
2	朱耀寰	西安电子科技大学技术物理学院	1	9	1.0	1.0
3	王海丰	西安电子科技大学技术物理学院	1	9	1.0	1.0