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摘要:
提出改变碱液腐蚀单晶硅表面特性的一个简单方法,即在碱液中加入活性剂改变碱液在硅表面的润湿性能从而改变其腐蚀特性。分别采用普通碱液、四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)溶液和加入阴离子有机氟表面活性剂的普通碱液腐蚀硅表面。结果发现:普通碱液和TMAH腐蚀液腐蚀的硅表面的金字塔大小差异大、有许多蜂窝状的小金字塔,反射率较高;用加入阴离子有机氟表面活性剂的普通碱液腐蚀的单晶硅表面,能形成比较规则的金字塔,金字塔尺寸为4~6μm、均匀性好、覆盖率高、表面反射率下降到12.65%。有机氟表面活性剂能提高硅在碱中腐蚀速率,有效调控单晶硅金字塔形貌、大小与分布,为精确调控单晶硅表面微结构提供了可能。
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文献信息
篇名 单晶硅表面微结构调节技术的改进
来源期刊 硅酸盐学报 学科 工学
关键词 单晶硅 表面微结构 金字塔 陷光效应
年,卷(期) 2012,(6) 所属期刊栏目 人工晶体
研究方向 页码范围 910-915
页数 分类号 TM914.4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯仕猛 上海交通大学物理系 39 143 7.0 9.0
2 王坤霞 上海交通大学物理系 5 45 5.0 5.0
3 单以洪 上海交通大学物理系 4 20 3.0 4.0
4 田嘉彤 上海交通大学物理系 4 31 4.0 4.0
5 徐华天 上海交通大学物理系 4 31 4.0 4.0
6 周玲 4 12 2.0 3.0
7 杨树泉 7 40 4.0 6.0
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