水基流延片式ZnO压敏电阻器低温共烧工艺及其性能

• 作者: 万帅 付振晓 吕文中
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 水基流延 片式氧化锌压敏电阻 银电极 叠层 界面扩散
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 陶瓷
• 页码范围: 523-528
• 分类号: TN304|TB34
• 语种: 中文

摘要

用环境扫描电子显微镜（ESEM）、X射线衍射（XRD）和X射线能谱（EDXS）等研究了水基流延片式ZnO压敏电阻器的低温共烧工艺及其对微观结构和电学性能的影响规律。ESEM分析结果表明：当等静压压力为60 MPa时,Ag电极与流延膜生坯界面结合紧密,Ag电极分布连续,900℃共烧时,未出现开裂、分层,两者收缩率接近。EDXS和XRD分析结果表明：900℃共烧时,Ag在片式压敏电阻器中以单质形式存在,流延膜与Ag电极化学兼容性良好,且在共烧界面处未发现有明显的Ag离子扩散。该流延膜可以与Ag电极在900℃时实现低温共烧,用此制备的片式ZnO压敏电阻器具有良好的压敏性能：压敏电压V1mA=6.1 V,非线性系数α=28.1,漏电流IL=0.15μA。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
2	付振晓	广东风华高新科技股份有限公司技术中心	24	62	4.0	6.0
3	万帅		7	78	4.0	7.0