CeO2掺杂对HfO2栅介质电学特性的影响

• 作者: 屠海令 张心强 杜军 杨萌萌 熊玉华 王小娜
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: CeO2 HfO2 掺杂 氧空位 高k
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 292-296
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2879字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.02.022

摘要

采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜.通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征.结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位生成能增大,氧空位数目减少,漏电流较纯HfO2下降了一个数量级,满足作为高k材料的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	屠海令		42	224	8.0	12.0
3	张心强		7	21	2.0	4.0
4	熊玉华		20	94	7.0	8.0
5	杨萌萌		3	15	2.0	3.0
6	王小娜		1	12	1.0	1.0