电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的可行性研究

• 作者: 冯庆荣 初明璋 孔祥东 戴倩 李建国 薛虹 韩立
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2 超导薄膜 SiC衬底 电子束退火
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 758-762
• 分类号: O511+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.08.19

摘要

提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺.在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上,使用EBW-6型电子束热处理设备,在真空度5.0×10-3 Pa、加速电压40kV、束流2mA、束斑14.2 mm、退火时间1.5s的条件下对[B(10 nm)/Mg(15 nm)]4/SiC夹层结构前驱膜进行了退火实验,得到了零电阻温度为30.3 K、转变宽度△Tc为0.4K、临界电流密度(SK、0 T)为5.0×106 A/cm2、表面平整的MgB2超导薄膜.证明了电子束退火制备MgB2薄膜是切实可行的.该工艺可以推广到大面积MgB2超导薄膜和MgB2线带材的制备.