MOVCD生长GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的暗电流特性

• 作者: 刘卫国 胡小英 陈智利
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱红外探测器 MOVCD 暗电流特性
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 809-812,816
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面积80μm×80μm,内电极压焊点面积20μm×20μm的单元测试样品。用变温液氦制冷机测试系统对两个样品进行50～300K的变温测试,分析了器件在不同偏压条件下的暗电流特性。发现该量子阱红外探测器的背景限温度为50K。不同生长次序中GaAs与AlGaAs界面的不对称性,以及掺杂元素的扩散导致了正负偏压下的I/V曲线呈不对成性。探测器电极压焊点面积大小与位置的不同对暗电流有一定的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈智利	西安电子科技大学微电子学院	5	19	3.0	4.0
2	胡小英		1	4	1.0	1.0
3	刘卫国		1	4	1.0	1.0