退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响

• 作者: 刘彩池 梁李敏 田园 解新建 郝秋艳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 辐照缺陷 黄光带 电子浓度
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1524-1527
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 3426字
• 语种: 中文

摘要

本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理.用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化.实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化.在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的.800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料科学与工程学院	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学材料科学与工程学院	37	179	9.0	12.0
3	解新建	河北工业大学材料科学与工程学院	10	57	4.0	7.0
4	梁李敏	河北工业大学材料科学与工程学院	8	15	2.0	3.0
5	田园	河北工业大学材料科学与工程学院	9	36	4.0	5.0