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摘要:
采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件.该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵.该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单,降低了成本,更容易实现大面积制作.场发射测试表明当阳压在1500和2000V时,栅压都能够有效地控制阴极的电子发射.
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文献信息
篇名 新型前栅场发射器件的研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 刻蚀型介质 前栅 场发射
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 电子器件
研究方向 页码范围 192-195
页数 分类号 TN383.1
字数 1848字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.03.03
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭太良 福州大学物理与信息工程学院 302 1102 15.0 21.0
2 林贺 福州大学物理与信息工程学院 4 5 1.0 1.0
3 杨帆 福州大学物理与信息工程学院 15 17 2.0 3.0
4 胡利勤 福州大学物理与信息工程学院 17 56 4.0 7.0
5 郑隆武 福州大学物理与信息工程学院 2 5 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
刻蚀型介质
前栅
场发射
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真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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