氮化镓晶体管封装的先进性和热建模分析

• 作者: Alex Lidow Johan Strydom Michael de Rooij
• 来源期刊: EDN CHINA 电子设计技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓晶体管 GaN 宜普电源EPC
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 58-59
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1023-7364.2012.09.016

摘要

近三年来，可替代功率MOSFET器件的基于氮化镓品体管产品系列已非常广阔（参考文献1）。除了优异的传导性能外，这些新一代器件的开关速度比传统硅器件要快十倍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Johan Strydom		1	0	0.0	0.0
2	Michael de Rooij		1	0	0.0	0.0
3	Alex Lidow		2	0	0.0	0.0