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两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响
两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响
作者:
关中杰
叶小松
李亮
杨宇
王茺
靳映霞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Ge薄膜
低温Ge缓冲层
射频磁控溅射
摘要:
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.
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文献信息
篇名
两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
Ge薄膜
低温Ge缓冲层
射频磁控溅射
年,卷(期)
2012,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
950-955
页数
6页
分类号
O484
字数
4082字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨宇
云南大学光电信息材料研究所
101
377
9.0
12.0
2
王茺
云南大学光电信息材料研究所
50
148
7.0
8.0
3
靳映霞
云南大学光电信息材料研究所
22
112
6.0
9.0
4
关中杰
云南大学光电信息材料研究所
4
34
2.0
4.0
5
李亮
云南大学光电信息材料研究所
9
41
3.0
6.0
6
叶小松
云南大学光电信息材料研究所
2
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Ge薄膜
低温Ge缓冲层
射频磁控溅射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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