电迁移对Ni/Sn/Ni-P焊点界面反应的影响

• 作者: 周少明 陈雷达 黄明亮
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 电迁移 Ni-P Ni 界面反应 金属间化合物
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1785-1789
• 分类号: TG456.7
• 字数: 4504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-185X.2012.10.020

摘要

研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响.结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用.当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100 h后Ni-P层消耗了5.88 μm,电迁移200 h后Ni-P层消耗了13.46μm.在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间.当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的Ni3Sn4化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200 h后Ni3Sn4层的厚度达到1.81 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄明亮		27	170	8.0	12.0
2	陈雷达		6	27	3.0	5.0
3	周少明		4	5	2.0	2.0