化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究

• 作者: 朱大鹏 王立春 罗乐 胡永达
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 化学镀Ni-P 纯锡凸点 高温回流 Ni3Sn4金属间化合物
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 3356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.11.013

摘要

采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2 μm,一致性良好.研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物.结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92 MPa以上.剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗乐	中科院上海微系统与信息技术研究所	4	17	2.0	4.0
2	朱大鹏	中科院上海微系统与信息技术研究所	2	2	1.0	1.0
3	王立春	中科院上海微系统与信息技术研究所	2	2	1.0	1.0
4	胡永达	中科院上海微系统与信息技术研究所	1	2	1.0	1.0