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摘要:
对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化,在RSD中引入缓冲层,建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明:缓冲层结构起到了截止电场的作用,使得器件基区得以减薄,较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低.针对RSD的特殊工作方式,提出了RSD开通电压、关断时间等关键参数的测试方案并进行了实验测量.进行了RSD大电流开通试验,直径7.6 cm的堆体在12 kV主电压下成功通过峰值电流173 kA,传输电荷32 C.
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文献信息
篇名 反向开关晶体管结构优化与特性测试
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 反向开关晶体管 脉冲功率开关 缓冲层 开通电压 关断时间
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 开关
研究方向 页码范围 876-880
页数 分类号 TN313
字数 1858字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20122404.0876
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 梁琳 华中科技大学电子科学与技术系 39 240 8.0 14.0
2 余岳辉 华中科技大学电子科学与技术系 60 621 14.0 22.0
3 余亮 华中科技大学电子科学与技术系 19 15 3.0 3.0
4 吴拥军 3 6 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
反向开关晶体管
脉冲功率开关
缓冲层
开通电压
关断时间
研究起点
研究来源
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期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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61664
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