低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究

• 作者: 串利伟 刘玉岭 岳红维 曹冠龙 王辰伟 郑伟艳 魏文浩
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低压 碱性 铜布线化学机械平坦化 高低差 速率
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 3472-3474
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2291字
• 语种: 中文

摘要

随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化（CMP）须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性（WIWNU）为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低（0.178nm）,表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	魏文浩	河北工业大学微电子研究所	3	40	3.0	3.0
4	郑伟艳	河北工业大学微电子研究所	8	72	5.0	8.0
5	曹冠龙	河北工业大学微电子研究所	5	35	3.0	5.0
6	岳红维	河北工业大学微电子研究所	4	22	2.0	4.0
7	串利伟	河北工业大学微电子研究所	3	22	3.0	3.0