探讨硅外延膜厚波动的控制对策

• 作者: 施国政 金龙
• 来源期刊: 科技与生活
• 学科: 工学
• 关键词: 硅外延 膜厚波动 控制
• 年，卷（期）: 2012,（15）
• 所属期刊栏目: 应用方法论
• 页码范围: 144-145
• 页数: 2页
• 分类号: TN305
• 字数: 2946字
• 语种: 中文

摘要

新型硅功率器件对厚膜的硅外延材料需求日益增加，硅片的外延层厚度的波动会导致后道工艺的异常失效，严重影响了后道的客户收益。本文从作者长年在生产制造型企业总结的经验出发，提出了膜厚波动的控制对策，有效减少了厚度的波动。文中从工艺和设备方面探讨研究了生产过程中的外延层膜厚波动的影响因素及控制对策。并以某品种硅外延片在LPE3061D的机台量产品种为改进案例，演示了改进方法及实际效果，该案例提高了后道工艺的成品率，给客户带来更好的盈利能力。本文侧重生产型企业实践，对生产型企业的技术人员或打算将研究成果产业化的研究人员具有实际参考价值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金龙		5	7	1.0	2.0
2	施国政		3	3	1.0	1.0