基于SRAM结构的FPGA抗辐射布局算法

• 作者: 杨文龙 王伶俐 王颖 陈丽
• 来源期刊: 计算机工程
• 学科: 工学
• 关键词: 现场可编程门阵列 抗辐射 布局算法 计算机辅助设计 单粒子翻转 软错误
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 工程应用技术与实现
• 页码范围: 236-239
• 分类号: TN47
• 字数: 4359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3428.2012.05.074

摘要

分析由辐射造成的单粒子翻转(SEU)软错误,在通用布局布线工具的基础上,提出一种基于SRAM结 构的现场可编程门阵列(FPGA)抗辐射布局算法.该算法通过优化电路单元在FPGA中的布局位置,减少布线资源开路敏感错误、短路敏 感错误以及SEU敏感点的数目.测试结果表明,该算法能减少SEU软错误,提高FPGA的抗辐射性能,并且无需增加额外的设计成本和硬 件开销.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	142	789	14.0	19.0
2	王伶俐	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	33	124	6.0	9.0
3	杨文龙	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	3	10	2.0	3.0
4	陈丽	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	15	34	4.0	5.0