PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究

• 作者: 宋江婷
• 来源期刊: 科技创新导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 透过率 PECVD
• 年，卷（期）: 2012,（32）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 13-15,17
• 页数: 4页
• 分类号: O472.31|TN305.92
• 字数: 2771字
• 语种: 中文

摘要

研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋江婷	泉州轻工职业学院机电工程系	8	12	1.0	3.0