溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及其光学性质

• 作者: 余远春 包飞军 徐晓峰 黄海燕
• 来源期刊: 东华大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: W掺杂VO2纳米薄膜 溅射氧化耦合 相变温度 折射率 消光系数
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 基础科学
• 页码范围: 130-134
• 页数: 5页
• 分类号: O48.4
• 字数: 1569字
• 语种: 中文

摘要

采用溅射氧化耦合法(SOC),在Al2O3 (001)基底上成功制备了纳米尺度的W掺杂VO2薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱仪(XPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析；采用四探针测试仪测试了薄膜在不同温度下的方块电阻,从而确定了VO2和W掺杂VO2纳米薄膜的相变温度从341 K下降到314 K；最后利用紫外至红外光谱仪测试了薄膜在常温和高温下的透过率,并通过Film Wizard软件对薄膜的透过率进行拟合,获得了薄膜的光学折射率(n)和消光系数(k)随光电子能量(E)变化的关系曲线.研究结果表明,随着W掺杂量的增加,W掺杂VO2纳米薄膜的半导体-金属相变温度逐渐下降,其光学折射率(n)和消光系数(k)相比VO2薄膜也发生有规律的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晓峰	东华大学理学院	14	56	4.0	6.0
2	黄海燕	东华大学理学院	1	1	1.0	1.0
3	余远春	东华大学理学院	2	6	1.0	2.0
4	包飞军	东华大学理学院	1	1	1.0	1.0