1200 V/75 A IGBT与FRD芯片在功率模块中的性能优化

• 作者: 于坤山 刘钺杨 赵哿 金锐 韩荣刚
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 快恢复二极管 匹配技术
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子与微电子技术
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 4040字
• 语种: 中文

摘要

介绍绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistors,IGBT)与快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)匹配技术的特点和优势、应用前景及发展趋势.为更好地研究IGBT和FRD芯片在功率模块内的使用状况,结合国网智能电网研究院自主开发的1 200 V/75 A的IGBT和FRD芯片,得到相关的特性参数.将它们封装成功率模块,提出优化IGBT与FRD在功率模块中性能匹配优化的几种方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于坤山	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	12	116	6.0	10.0
2	赵哿	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	4	12	1.0	3.0
3	刘钺杨	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	6	21	3.0	4.0
4	韩荣刚	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	3	7	1.0	2.0
5	金锐	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	11	77	5.0	8.0