NBTI界面电荷反馈引起器件寿命变化的数值分析

• 作者: 张旭琳 曹建民 贺威 黄思文
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 MOS器件 负偏压温度不稳定性 计算机辅助设计 界面反馈 半导体器件寿命
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与信息科学
• 页码范围: 144-149
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1|TN306
• 字数: 4896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2013.02144

摘要

提出一种用二维器件数值模拟和负偏压温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)模型联合计算的方法,分析NBTI效应产生的界面电荷对pMOS器件栅氧化层电场和沟道空穴浓度的反馈作用.通过大量计算和比对分析现有实验得出:当NBTI效应产生较多的界面电荷时,由于界面电荷反馈,pMOS器件的NBTI退化将有一定程度的减小.这种退化减小是一种新的退化饱和机制,对不同类型器件的寿命具有不同的影响.在低NBTI器件中,界面反馈对器件寿命曲线的变化影响不大,器件寿命曲线趋向满足指数变化规律.在高NBTI器件中,界面反馈使得寿命曲线变化基本满足幂指数变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺威	深圳大学电子科学与技术学院	23	56	4.0	6.0
2	张旭琳	深圳大学电子科学与技术学院	14	44	4.0	5.0
3	曹建民	深圳大学电子科学与技术学院	11	23	3.0	4.0
4	黄思文	深圳大学电子科学与技术学院	4	10	2.0	3.0