SiGeC薄膜表征对于光刻对准性能的影响研究

• 作者: 王霞珑
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-x-yGexCy 光学表征对准性能 HBT异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 32-35
• 分类号: TN305
• 字数: 2591字
• 语种: 中文

摘要

Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料.由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAs HBT.因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料.文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性.同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王霞珑	上海交通大学微电子学院	1	0	0.0	0.0