MPCVD生长B掺杂金刚石膜的二次电子发射研究

• 作者: 丁明清 冯进军 李莉莉
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: B掺杂金刚石膜 负电子亲和势 二次电子发射系数 氧化处理
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 688-692
• 页数: 5页
• 分类号: TB75
• 字数: 108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20132805.0688

摘要

研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为.对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9.值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理.如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留.另外,10 mg/L B2H6/CH4掺杂样品在酸溶液中处理后NEA消失,SEE较低,而在真空中加热后NEA明显恢复,SEE在1 kV时达到10.2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯进军	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	84	447	12.0	17.0
2	丁明清	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	16	102	6.0	10.0
3	李莉莉	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	6	8	2.0	2.0