MPCVD法合成硼掺杂金刚石薄膜的次级发射性能

• 作者: 丁明清 冯进军 李莉莉 邵文生 高玉娟
• 来源期刊: 中国空间科学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硼掺杂金刚石 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) 次级电子发射能力 负电子亲和势(NEA) 电子倍增器
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 二次电子发射特性
• 页码范围: 48-53
• 页数: 6页
• 分类号: TB75
• 字数: 3382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16708/j.cnki.1000-758X.2017.0032

摘要

为解决电子倍增器、场发射阴极和粒子/光子探测器现有阴极材料次级发射系数低且发射不稳定的问题,对微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition,MPCVD)法结合H等离子体表面处理工艺制备的不同B2 H6/CH4浓度的硼掺杂金刚石薄膜的次级发射能力进行了研究.样品表面扫描电子显微镜和拉曼光谱分析结果显示,硼掺杂金刚石膜表面形貌与未掺杂的金刚石膜相似,样品表面均为高纯度的金刚石相.将置于空气中数日且未经任何表面处理的硼掺杂金刚石样品进行次级电子发射性能测试,结果显示一次电子入射能量为1 keV时,得到高达18.3的二次电子发射系数.试验证实这种具有高二次电子发射系数的硼掺杂金刚石膜,暴露空气中由于表面氧化会破坏其表面的负电子亲和势,而真空中加热会使表面重新恢复负电子亲和势,这种负电子亲和势的完整保留,提高了该材料次级发射的稳定性,在器件中具有重要的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯进军	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	84	447	12.0	17.0
2	丁明清	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	16	102	6.0	10.0
3	高玉娟	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	15	55	4.0	6.0
4	邵文生	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	15	27	4.0	4.0
5	李莉莉	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	6	8	2.0	2.0