Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响

• 作者: 刘显强 吴良才 周夕淋 宋志棠 张斌 张泽 张滔 谷立新 韩晓东
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 工学
• 关键词: GeSbTe 相变材料 晶化温度 透射电镜
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 192-197
• 页数: 6页
• 分类号: TN304|TG115.21+5.3
• 字数: 3137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.1000-6281.2013.03.002

摘要

通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征.发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9％Sb和GeTe-21％Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58％ Sb,GeTe-72％Sb和GeTe-81.5％ Sb呈Sb型菱方结构.在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反.原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9％ Sb是典型的形核主导,而GeTe-72％Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制.