ZnO掺杂对ZnSb相变薄膜结构和电学特性的影响

• 作者: 刘银杰 吴德振 周细应 邱小小 郝艳
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 相变薄膜 电学特性 晶化温度 结构变化
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 表面强化及功能化
• 页码范围: 347-352
• 页数: 6页
• 分类号: TB43
• 字数: 3230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.07.040

摘要

目的 通过掺杂不同量的ZnO提升ZnSb相变薄膜的晶化温度和晶态膜电阻.方法 采用磁控溅射双靶共溅方式制备不同含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜,使用真空四探针设备原位测试薄膜电阻随温度的变化情况,用EDS、DSC、XRD、Raman、FESEM、UV-Vis分别对薄膜的成分、晶化温度和熔点、掺杂薄膜的结构、薄膜厚度、表面形貌以及光学带隙进行分析.结果 ZnO掺杂量为1.6％时,ZnO掺杂提升了薄膜的晶化温度和晶态薄膜的电阻,并抑制了ZnSb晶粒的长大.薄膜的晶化温度由253℃提升至263℃,光学带隙由0.37 eV提升至0.38 eV,掺杂薄膜晶粒大小为20 nm左右,远低于未掺杂的50 nm.掺杂薄膜内的O原子更易与Sb结合,过多的ZnO掺杂会使薄膜结晶后形成Sb2O3晶粒,使薄膜的晶化温度下降.结论 低含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜具有更高的晶化温度、更细小的ZnSb晶粒以及更高的膜电阻;过量的ZnO掺杂使薄膜在结晶后产生分离的Sb2O3相,恶化薄膜性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周细应		114	777	15.0	25.0
2	郝艳		3	0	0.0	0.0
3	吴德振		3	1	1.0	1.0
4	邱小小		3	0	0.0	0.0
5	刘银杰		1	0	0.0	0.0