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65 nm多层铜布线的碱性化学机械平坦化工艺
65 nm多层铜布线的碱性化学机械平坦化工艺
作者:
刘玉岭
张宏远
曹阳
李海龙
王辰伟
陈蕊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
化学机械抛光(CMP)
压力
转速
流量
台阶高度
平坦化
摘要:
主要研究了65 nm碱性铜布线的平坦化工艺.对不同尺寸铜线条进行抛光,讨论了抛光压力、抛光液流量和转速对平坦化的影响.结果表明,压力是影响平坦化的主要因素;分别改变压力、流量或转速时,窄线条的平坦化效果优于宽线条;平坦化效果随着压力的减小逐渐变好,即压力为1.0 psi(1 psi=6.895 kPa)时,平坦化效果最好;抛光液流量在300 mL/min时,化学反应和机械作用都达到饱和,平坦化效果最佳;平坦化效果随着转速的提高逐渐变好,转速在100 r/min时,保证了质量传递效率,所有铜线条都达到了最好的平坦化.
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工艺参数
铜布线平坦化
化学机械抛光
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多层布线
设计规则
迷宫算法
采用65 nm工艺实现宽频带低相位噪声的LC-VCO
压控振荡器
宽频带
开关电容阵列
闪烁噪声
堆积式MOM电容
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(/年)
文献信息
篇名
65 nm多层铜布线的碱性化学机械平坦化工艺
来源期刊
微纳电子技术
学科
工学
关键词
化学机械抛光(CMP)
压力
转速
流量
台阶高度
平坦化
年,卷(期)
2013,(7)
所属期刊栏目
加工、测量与设备
研究方向
页码范围
458-461
页数
分类号
TN305.2
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1671-4776.2013.07.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘玉岭
河北工业大学微电子研究所
263
1540
17.0
22.0
2
王辰伟
河北工业大学微电子研究所
80
287
8.0
10.0
3
张宏远
河北工业大学微电子研究所
5
15
2.0
3.0
4
曹阳
河北工业大学微电子研究所
7
29
4.0
5.0
5
李海龙
河北工业大学微电子研究所
4
10
2.0
3.0
6
陈蕊
河北工业大学微电子研究所
7
26
4.0
5.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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1991(1)
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二级参考文献(0)
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2007(2)
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参考文献(1)
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研究主题发展历程
节点文献
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压力
转速
流量
台阶高度
平坦化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄市179信箱46分箱
邮发代号:
18-60
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
总被引数(次)
16974
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