低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究

• 作者: 吴革明 曾亭 杜军 杨萌萌 赵鸿滨 魏峰
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 石墨烯 低压化学气相沉积法 Raman光谱 光刻和刻蚀 退火 输运特性
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 583-589
• 分类号: O613.11
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.012

摘要

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯.XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长.拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构.通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性.在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因.同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳；而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵鸿滨		11	58	4.0	7.0
2	魏峰		11	43	4.0	6.0
3	吴革明		2	7	2.0	2.0
4	曾亭		2	7	2.0	2.0
5	杨萌萌		3	15	2.0	3.0