新式锗材料可望取代硅

• 作者: 郑冬冬
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 俄亥俄州立大学 JOSHUA 替代方案 光电元件 能隙 半导体制造 氢化锗 电子特性 感测
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（3）
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.11

摘要

【正】美国俄亥俄州立大学(Ohio State University)的研究人员们发明出一种以原子薄层沉积锗材料的新方法,据称可生长出较硅更高10倍性能的新式锗材料,并可望成为较其它下一代材料(如石墨烯)更易于制造的替代方案。俄亥俄州立大学教授Joshua Goldberger表示:"我们已经能够制造出一种