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摘要:
利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100 nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响.利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构.结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860 nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构.
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文献信息
篇名 磁场退火温度对Ni80Fe20薄膜磁畴结构的影响研究
来源期刊 实验技术与管理 学科 物理学
关键词 Ni80Fe20薄膜 磁畴 磁场退火
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目 实验技术与方法
研究方向 页码范围 56-59
页数 4页 分类号 O484.4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴平 北京科技大学数理学院 93 481 11.0 17.0
2 陈森 北京科技大学数理学院 37 166 7.0 10.0
3 张师平 北京科技大学数理学院 30 128 6.0 10.0
4 徐建 北京科技大学数理学院 1 8 1.0 1.0
5 向勇 北京科技大学数理学院 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
Ni80Fe20薄膜
磁畴
磁场退火
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
实验技术与管理
月刊
1002-4956
11-2034/T
大16开
北京清华大学10号楼2层
1963
chi
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