超动态电压调整SRAM设计

• 作者: 耿莉 赵慧
• 来源期刊: 新型工业化
• 关键词: 集成电路设计 SRAM 超动态电压调整 亚阈值设计 静态噪声容限 低功耗
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 科研通讯
• 页码范围: 61-69
• 页数: 9页
• 字数: 1681字
• 语种: 中文

摘要

本文设计了一种8管SRAM单元和相应的读写辅助电路，解决了传统6管SRAM单元低压工作存在的读写稳定性问题，实现了具有超动态电压调整（U-DVS）能力的 SRAM的设计，其工作电压范围可从亚阈值区变化到标称电压，达到SRAM低功耗和高性能的平衡。通过自适应衬底偏置电路和读缓冲器的设计，增强了 SRAM 单元低压下的读稳定性和鲁棒性。设计了可复用的读写辅助电路，同时提高 SRAM 的低压写能力和读速度。采用标准0.18-μm CMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明SRAM工作电压范围达到0.2V-1.8V，相应的工作频率为184 kHz-208 MHz，从1.8V到0.2V的工作电压范围内，SRAM总功耗降低了4个数量级，工作电压0.2V时的读写功耗仅为30nW。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿莉	西安交通大学电子与信息工程学院	16	38	3.0	5.0
2	赵慧	西安交通大学电子与信息工程学院	1	1	1.0	1.0