高压BiCMOS工艺及其在驱动芯片设计上的应用

• 作者: 王炜 陆晓敏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: DMOS Rdson 驱动能力
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 36-39,48
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3191字
• 语种: 中文

摘要

随着高压BiCMOS技术越来越多地应用于驱动等集成电路芯片设计中，所存在的问题也越来越突出。如何使一个具有竞争力的高压BiCMOS工艺能在设计中得到灵活方便的使用将成为一个新的课题。与通常的CMOS器件不同的是，高压器件在工艺和版图上有特定的考量，是否能形成灵活可调的PDK对一款成功的设计而言至关重要。其次，更丰富、性能更优良的器件可以进一步提升设计的竞争力，这需要工艺端提供更多的创新。另外，晶圆厂和设计的紧密合作也很重要，通过量身定做的方式可以帮助高压工艺走出现有的驱动芯片设计需求瓶颈。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王炜		2	1	1.0	1.0
2	陆晓敏		2	1	1.0	1.0