衬底负偏压及溅射功率对SiO2/Cu薄膜形貌的影响

• 作者: 张敏刚 田小丽 陈峰华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 衬底负偏压 溅射功率 薄膜 形貌
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 86-89
• 分类号: O484.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.02.005

摘要

采用射频磁控溅射镀膜技术,分别以不同的衬底负偏压和射频溅射功率下在p型Si (100)基片上制备了SiO2/Cu薄膜.用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行扫描分析,实验结果表明,衬底负偏压和射频溅射功率对SiO2/Cu薄膜的表面形貌都有显著的影响.衬底负偏压在0～15 V内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随着衬底负偏压的增大呈减小的趋势,而溅射功率在100～200 W内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随溅射功率的升高呈增大的趋势.成膜初期是层状生长模式,后期为岛状生长模式,整个成膜过程是典型的层岛生长模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张敏刚		103	263	7.0	11.0
2	田小丽		5	5	2.0	2.0
3	陈峰华		25	62	3.0	7.0