衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响

• 作者: 张凯 张敏刚 杨利斌 柴跃生 陈峰华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Ni-Mn-Ga 薄膜 衬底负偏压
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 21-23,30
• 分类号: O484.1
• 字数: 2946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.09.006

摘要

采用能谱仪(EDS)和原子力显微镜(AFM)对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析.研究发现:当衬底负偏压在5～30V范围变化时,薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势,在偏压为10V时,达到最小值52.84％(摩尔分数,下同).Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反,且在偏压为10 V时达到最大值29.85％,而Mn含量变化不大,保持在17.00％左右；薄膜呈典型岛状(Volmer-Weber)模式生长,表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柴跃生		74	261	7.0	12.0
2	张敏刚		103	263	7.0	11.0
3	张凯		6	20	2.0	4.0
4	陈峰华		25	62	3.0	7.0