SiO2薄膜内部短程有序微结构研究*

• 作者: 冷健 刘华松 姜玉刚 孙鹏 季一勤 庄克文 王利栓
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SiO2薄膜 离子束溅射 电子束蒸发 短程有序
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 页码范围: 426-431
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.187801

摘要

SiO2薄膜是重要的低折射率材料之一，针对离子束溅射(IBS)和电子束蒸发(EB)的SiO2薄膜，采用红外光谱反演技术获得在400-1500 cm?1波数内的介电常数，通过对介电能损函数的分析获得了两种薄膜在横向和纵向光学振动模式下的振动频率和Si-O-Si键角。研究结果表明，在EB SiO2薄膜短程有序范围内， SiO4的连接方式主要是类柯石英结构、3-平面折叠环和热液石英结构的SiO4连接方式；在IBS SiO2薄膜短程有序范围内， SiO4的连接方式复杂主要是类柯石英结构、3-平面折叠环、4-平面折叠环结构和类热液石英结构。