新型低压低功耗基准电压源

• 作者: 井凯 庄奕琪 李小明 杜永乾
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 基准源 低压 低功耗 电源抑制比 亚阈区
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 114-117
• 分类号: TN202
• 语种: 中文

摘要

设计了一种低压、低功耗基准电压源电路.该电路采用工作在亚阈区的MOSFET与传统PNP晶体管相结合的方式,使得电路的输出基准电压与MOSFET阈值无关,具有较低功耗和较高精度.同时,虚拟二极管连接的偏置结构的引入提高了环路增益,进而提高基准源的电源抑制比(PSRR).采用SMIC 0.18 μm工艺平台,并完成版图设计以及仿真验证.当基准源输出电压为0.702 V时,电源电压工作范围为0.9～3.0 V,静态功耗仅为0.6 μW,其温度系数为13.6 μV/℃,PSRR接近80 dB.在不同工艺角下,该基准电路的输出基准电压最大偏差为9 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	李小明	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	19	123	6.0	10.0
3	杜永乾	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	11	78	5.0	8.0
4	井凯	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	4	1.0	2.0