基片偏压模式对高功率脉冲磁控溅射CrN薄膜结构及成分影响研究

• 作者: 吴忠振 巩春志 杨士勤 田修波
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率脉冲磁控溅射 等离子体离子注入与沉积 偏压 氮化铬 结构和成分
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 405-409
• 页数: 5页
• 分类号: TG174
• 字数: 5209字
• 语种: 中文

摘要

针对高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)的缺点,结合沉积技术(PBII&D)技术,提出了一种新的处理方法——高功率脉冲磁控放电等离子体离子注入与沉积技术(HPPMS-PIID).本实验采用该技术在不锈钢基体上制备了CrN薄膜,分别采用3种偏压模式:无偏压、-100 V直流偏压和-15 kV脉冲偏压,对比研究了CrN薄膜形貌、结构、成分及性能发生的变化.结果表明:该方法制备的薄膜表面平整、晶粒排列致密,呈不连续的柱状晶生长.相结构单一,主要是CrN (200)相.由于负高压脉冲将大部分进入鞘层的离子都吸引到工件沉积,薄膜沉积速率得到较大提高.另外强烈的高能离子的注入与轰击,使得薄膜的结合力高达57.7N.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巩春志	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	69	320	9.0	14.0
2	田修波	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	106	515	11.0	17.0
3	杨士勤	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	93	787	14.0	22.0
4	吴忠振	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	8	97	4.0	8.0