直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

• 作者: 何笑明 吕文中 贾小龙
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 基片温度 c轴取向 退火 氩氧比 结晶质量
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.008

摘要

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
2	何笑明	华中科技大学电子科学与技术系	8	82	4.0	8.0
3	贾小龙	华中科技大学电子科学与技术系	1	27	1.0	1.0