串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

• 作者: 周东 崔江维 张兴尧 张孝富 李豫东 郑齐文 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 铁电存储器 总剂量辐射 退火特性
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 156107-1-156107-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.156107

摘要

对一款商用串口 I2C 型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的 DC, AC,功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律。实验结果表明：总剂量辐射在器件内产生大量氧化物陷阱电荷,造成了铁电存储器外围控制电路 MOS 管阈值向负向漂移,氧化物陷阱电荷引入附加电场使铁电薄膜受肖特基发射或空间电荷限制电流的作用,产生辐射感生漏电流。由于浅能级亚稳态的氧化物陷阱电荷数量上多于深能级氧化物陷阱电荷,使得器件功能和辐射敏感参数在常温退火过程中快速恢复。