不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应

• 作者: 张兴尧 文林 李豫东 郭旗
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储器 总剂量辐射 偏置
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 181-185
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201801.0181

摘要

对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应.使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明,将铁电存储器置于不同的偏置条件下,铁电存储器的功能失效阈值不同,原因可能是偏置不同造成了辐射损伤的短板电路模块不同.