GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究*

• 作者: 张明兰? 曹兴忠 李卓昕 杨瑞霞 王宝义 王晓晖
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN 缺陷 质子 辐照
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 427-430
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.117103

摘要

本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷,实验发现:能量为5 MeV的质子辐照在GaN厚膜中主要产生的是Ga单空位,没有双空位或者空位团形成;在10 K测试的低温光致发光谱中,带边峰出现了“蓝移”,辐照后黄光带的发光强度减弱,说明黄光带的起源与Ga空位(VGa)之间不存在必然的联系,各激子发光峰位置没有改变,仅强度随质子注量发生变化;样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大,说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响,薄膜晶体质量下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	王宝义	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	69	258	9.0	12.0
3	王晓晖	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	11	21	3.0	3.0
4	李卓昕	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	9	44	3.0	6.0
5	曹兴忠	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	19	31	3.0	4.0
6	张明兰?	河北工业大学信息工程学院	1	2	1.0	1.0