CuO薄膜的阻变存储特性

• 作者: 尹岚 李树玮 胡苹 陈铀
• 来源期刊: 南华大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 双极阻变开关 非易失性
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 数理?计算机科学
• 页码范围: 76-81
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1802字
• 语种: 中文

摘要

利用等离子体辅助的分子束外延设备在SrTiO3掺Nb(Nb：STO)的衬底上制备了双层的Cu2O/ CuO 薄膜，经过测量其电流电压特性，发现Pt/ Cu2O/ CuO/ Nb：STO 器件的阻变存储特性非常显著，而且可重复程度高，适合多次数据写入与擦除，有望应用于信息存储领域。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡苹	南华大学数理学院	11	11	2.0	3.0
2	尹岚	南华大学数理学院	24	39	4.0	5.0
3	陈铀	南华大学数理学院	33	63	4.0	6.0
4	李树玮	中山大学物理科学与工程技术学院	8	39	3.0	6.0