氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究

• 作者: 刘凯 张楷亮* 王芳 胡明 韦晓莹
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化钒薄膜 电阻开关 电阻式非挥发存储器 导电细丝
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 411-416
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.047201

摘要

采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜. X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)和V2O3(110)峰外,没有明显的结晶取向,是VO2, V2O5, V2O3及VO的混合相薄膜,且薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为1 nm.采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试.结果表明薄膜具有较低的开关电压(VSet<1 V, VReset<?0.5 V),并且具有稳定的可逆开关特性.薄膜从低阻态转变为高阻态的电流(IReset)随限流的增大而增大.通过高低阻态时I-V 对数曲线的拟合(高阻态斜率>1,低阻态斜率=1),认为Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转变的主要机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	王芳	天津大学电子信息工程学院	14	210	6.0	14.0
3	刘凯	天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室	3	16	3.0	3.0
4	韦晓莹	天津大学电子信息工程学院	2	7	1.0	2.0
5	张楷亮*	天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室	1	7	1.0	1.0