含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性

• 作者: 史守山 娄建忠 张二鹏 贾长江 郝华 闫小兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阻变开关 IGZO薄膜 Ag电极 开关机制
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 811-814,819
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 1894字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4(α-IGZO)薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构建了Ag/非晶InGaZnO4(α-IGZO)/Pt结构的阻变存储器件单元.所制备的器件具有双极型阻变特性,写入时间仅为107 ns,经过300次循环开关后,器件仍显示良好的开关效应.对置于高低阻态的器件使用5 mV横电压测量其电阻,电阻值经过1.2×104 s无明显衰减趋势,表明器件具有较好的保持特性.阻变开关机制归因于在外加电场的作用下,由于电化学反应,使得Ag导电细丝在存储介质α-IGZO薄膜中形成和溶解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	娄建忠	河北大学电子信息工程学院	25	64	5.0	6.0
2	闫小兵	河北大学电子信息工程学院	22	70	4.0	8.0
3	贾长江	河北大学电子信息工程学院	7	27	2.0	5.0
4	史守山	河北大学电子信息工程学院	6	11	2.0	3.0
5	张二鹏	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0
6	郝华	河北大学电子信息工程学院	2	3	1.0	1.0