高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究

• 作者: 刘翔 宁策 张盛东 杨静 王刚 薛建设
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物薄膜晶体管 铟镓锌氧化物半导体 高迁移率 高性能
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 130-133
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.02.06

摘要

在2.5G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0× 10-12,开关比为5.27× 107,亚阈值摆幅为0.44V/Dev,验证了TFT的均一性和重复性.此外还研究了可见光照和电压偏应力对IGZOTFT性能的影响,可见光照不会促使IG-ZO TFT Vth的漂移,进行2h的负偏电压应力测试,IGZOTFT的Vth几乎没有漂移.使用上述IGZO TFT基板成功地制作了中国大陆第一款Oxide-LCD样机(18.5英寸),展现出良好的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张盛东	北京大学微电子学研究院	13	47	4.0	6.0