干法刻蚀图形化CVD金刚石膜研究进展

• 作者: 刘聪 汪建华 熊礼威
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: CVD金刚石膜 激光刻蚀 等离子体刻蚀 等离子体辅助固体刻蚀
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 29-35
• 页数: 7页
• 分类号: TQ164
• 字数: 3759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2014.2.0007

摘要

CVD金刚石膜因其极高的强度和耐磨特性在微机电系统(MEMS)领域具有极好的应用前景，然而其极高的硬度和化学惰性又使其很难被加工成型，这极大地限制了CVD金刚石膜在MEMS领域的应用。本文主要介绍了近年来干法刻蚀图形化CVD金刚石膜的研究进展，系统地分析了激光刻蚀，等离子体刻蚀，等离子体辅助固体刻蚀的原理及其各自优缺点，着重论述了国内外采用等离子体刻蚀 CVD金刚石膜的研究现状。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	123	698	14.0	19.0
2	熊礼威	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	37	243	9.0	14.0
3	刘聪	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	4	15	2.0	3.0